美股投资网获悉，据知情人士透露，为了在高端人工智能芯片的竞争中迎头赶上，韩国存储芯片巨头三星电子(SSNLF)将采用SK海力士所领导的高端芯片封装工艺技术。

随着生成式人工智能的繁荣，对高带宽内存(HBM)芯片的需求激增。不过，与同行SK海力士和美光科技(MU)不同的是，三星电子尚未拿下人工智能芯片霸主英伟达(NVDA)的HBM订单。

分析人士和业内观察人士认为，三星电子落后于竞争对手的原因之一是，该公司决定坚持使用会导致一些生产问题的非导电薄膜(NCF)芯片技术，而SK海力士转向高端封装工艺MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)方法来解决NCF的缺陷。有分析师称，三星电子HBM3芯片的产率约为10-20%，而SK海力士HBM3的产率约为60-70%。

据知情人士透露，三星电子最近已经下单采购用于MUF技术的芯片制造设备。其中一名知情人士表示“三星电子必须采取措施提高HBM产量。对三星来说，采用MUF技术是一件有点忍辱负重的事情，因为它最终采用了SK海力士最初就使用的技术。”

一名知情人士表示，三星电子已经在与包括日本长濑(Nagase)在内的材料制造商就MUF材料的采购进行谈判。该知情人士补充称，使用MUF的高端芯片的大规模生产最早可能要到明年才能准备好，因为三星电子需要进行更多的测试。

资料显示，NCF芯片制造技术已被芯片制造商广泛用于在紧凑的高带宽内存组中堆叠多层芯片，因为使用热压缩薄膜有助于减少堆叠芯片之间的空间。不过，随着层数增加，制造变得复杂，粘合材料也经常出现问题。三星电子最新的HBM3E芯片就有12个芯片层。

芯片制造商一直在寻找解决这些弱点的替代方案。SK海力士率先成功转向MR-MUF技术，成为第一家向英伟达提供HBM3芯片的供应商。KB Securities分析师Jeff Kim估计，SK海力士今年在为英伟达提供的HBM3及更先进的HBM产品中所占的市场份额将超过80%。美光科技上个月宣布，其最新HBM3E芯片将被英伟达采用，应用于将在第二季度开始发货的英伟达H200芯片。

三星电子使用MUF的计划凸显了该公司在人工智能芯片竞争中面临越来越大的压力。根据研究公司TrendForce的数据，在人工智能相关需求的推动下，HBM芯片市场今年将增长1倍以上，至近90亿美元。

多位知情人士透露，三星电子HBM3系列尚未通过英伟达的供货资格。三星电子在HBM领域的竞争中落后于SK海力士和美光科技同样表现在股价上。数据显示，三星电子股价今年以来下跌了7%，而SK海力士和美光科技的股价今年以来则分别上涨了17%和14%。

对此，三星电子回应称，其NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”，并将用于最新的HBM3E芯片。该公司表示“我们正在按计划开展我们的HBM3E产品业务。”三星电子还发表了一份声明称“有关三星电子将MR-MUF应用于HBM生产的传言是不实的。”

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