美股投资网获悉，为应对日本数据中心市场日益严峻的能源挑战，软银(SFTBY)与英特尔(INTC)正联合开发新一代人工智能(AI)内存芯片，其功耗较现有技术可降低50%。

据报道，双方已合资成立Saimemory公司，通过总投资100亿日元(约合7000万美元)的项目，计划在2020年代末实现商业化量产。该项目专注于研发具有创新布线结构的堆叠式DRAM芯片，与现行高带宽内存(HBM)相比能显著降低功耗。

项目投资由软银主导出资30亿日元，日本理化学研究所及新光电气工业正考虑参与合作。报道指出，该合资企业将整合英特尔的技术专利，并吸收东京大学等日本学术机构的研究成果。

当前HBM市场由韩国SK海力士和三星电子(SSNLF)主导，但其生产技术面临良率低、成本高、能耗大等痛点，导致日本企业难以获得稳定供应。软银高管在报道中强调“我们必须确保供应优先权”，凸显该技术对公司AI数据中心战略布局的关键意义。

这一合作标志着日本半导体产业的复兴雄心。自1980年代失去70%以上的DRAM市场份额后，日本最后一家DRAM制造商尔必达于2013年破产后被美光科技(MU)收购。软银计划将新型内存技术应用于AI训练数据中心，以应对海量数据处理的高算力需求。该公司近期斥资6.76亿美元收购夏普LCD工厂，拟在大阪建设150兆瓦级AI数据中心，以深化与OpenAI的合作关系并完善其AI基础设施战略布局。

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