SK海力士7月24日的财报电话会议重点关注了该公司HBM市场的前景。此前，全球投资银行高盛近期将SK海力士的投资评级从“买入”下调至“中性”，理由是HBM行业竞争加剧。7月17日，高盛报告发布后，SK海力士股价暴跌8.95%。

SK海力士以“未来HBM需求毋庸置疑”的口吻，打消了市场担忧。该公司解释道，随着AI模型从主要训练向推理扩展，大型科技公司正在竞相投资，全球主要国家也在积极寻求自主（独立）的AI投资，以确保中长期需求的增长动力。

SK海力士副总裁金基泰表示“随着人工智能市场在代理（助手）和物理人工智能等领域的爆发式增长，预计将推动HBM需求的增长。” 他补充道“客户群体将不断扩大，新的服务也将持续推出。”

SK海力士第二季度营收同比增长35.4%至22.232万亿韩元，营业利润增长68.5%至9.2129万亿韩元，营业利润率达到41%。这大幅超越了去年第四季度创下的季度最高纪录（营收19.767万亿韩元、营业利润8.0828万亿韩元），也超过了金融信息提供商FnGuide统计的证券公司平均预测（营收20.7186万亿韩元、营业利润9.0648万亿韩元）。

SK海力士解释道“随着全球大型科技公司积极投资人工智能，对人工智能内存的需求稳步增长”，并补充道，“DRAM和NAND闪存的出货量均高于预期。”分析表明，高价值产品的销售扩张，尤其是第五代HBM3E 12层，提高了收入和盈利能力。

在历史性繁荣的背景下，SK海力士第二季度末的现金及现金等价物较上一季度增加2.7万亿韩元，达到17万亿韩元。净借款较第一季度末减少4.1万亿韩元。SK海力士表示，由于第二季度成品产量增加，半导体库存水平保持稳定，并预测随着客户推出新产品，下半年内存需求将持续增长。该公司还预计，需要大量计算资源的推理AI的扩展，以及各国竞相推进自主AI建设，将成为SK海力士新的增长动力。

SK海力士认为，HBM市场格局向定制化转型是有利的。尽管HBM竞争加剧可能导致市场从供应商驱动转向买方驱动，从而可能削弱内存制造商的地位，但该公司认为，内存制造商在定制化HBM市场中仍能保持优势地位。

SK海力士社长宋铉钟强调“内存市场已经发展到领先企业能够保持一定议价能力的阶段，早期与客户接触的益处也比过去大得多。” 他充满信心地补充道“SK海力士如今成为HBM市场领导者，也得益于其企业文化因素，例如以客户为导向的态度和团队合作精神，这些因素是其他企业难以复制的。”

SK海力士宣布，其已确保明年HBM业务的供应可预见性，这意味着围绕NVIDIA等主要客户的HBM业务将继续保持“售罄”状态。SK海力士的HBM3E产能较上年翻了一番，并已向客户交付第六代产品HBM4的样品，随时准备供货。

对于HBM4制造成本上升导致盈利压力的担忧，该公司表示，“对于HBM4，我们正努力在定价政策中尽可能地体现成本上涨的影响”，并补充道，“我们的目标是确定最佳价格水平，以维持当前的盈利能力”。

SK海力士还在加速生产下一代HBM以外的定制AI芯片，包括用于AI GPU的SoCAM和GDDR7。SoCAM是基于服务器LPDDR的最新模块，将于今年内开始供货。对于用于AI GPU的GDDR7，他们也正在准备24Gb的产品，将容量从现有的16Gb扩展到24Gb。

宋表示，“由于人工智能计算中的各种限制，不仅HBM产品线变得多样化，而且对新型内存产品的需求也越来越大”，并补充道，“我们将在各种人工智能半导体产品中保持领先地位，包括根据客户需求定制的HBM以及内存处理（PIM）。”

对于近日美国政府批准NVIDIA恢复向中国出口低规格芯片H20一事，SK海力士表示，“恢复供应的时间还不长，因此仍在确认具体需求”，但同时表示，“在出口限制之前，我们一直作为主要供应商供应适用于该产品的HBM，因此我们将能够迅速做出反应”。

关于其在中国的DRAM生产基地无锡工厂，SK海力士预测，根据传统DRAM的供需情况，维持现有生产基地可能具有优势。该公司解释道“由于全行业HBM生产的扩张对通用DRAM的产能扩张造成了制约，并且在向DDR5或LPDDR5过渡期间，传统产品出现了短缺。” 并补充道“我们计划积极利用中国工厂，稳定供应需要长期客户支持的传统产品。

加大HBM生产投资

SK海力士已决定扩大其资本支出（CAPEX），以应对高带宽存储器（HBM）的需求。随着NVIDIA、博通和亚马逊等潜在客户数量的增加，该战略旨在积极建立生产基础设施，以支持供应量。

SK海力士总裁宋铉钟在7月24日的第二季度财报电话会议上表示“我们已经确保了明年HBM供应的可预见性，并认为有必要进行先发制人的投资，以便及时应对。今年的投资规模将比原计划有所增加，其中大部分将用于HBM的生产。”

鉴于HBM比一般DRAM消耗更高的产能（CAPA），因此需要更大的洁净室空间才能达到与过去相同的产量。SK海力士计划主要利用位于忠清北道清州市的M15X作为下一代HBM生产基地，并从今年第四季度开始运营。此外，SK海力士还将继续进行基础设施投资，以扩建位于京畿道龙仁市和美国印第安纳州的全球生产基地。宋总强调“我们绝不会因为工厂空间有限而无法向客户供货。”

下一代 DRAM，即 1c（第六代 10nm 级）DRAM 的转换投资也将于今年下半年开始，并计划于明年全面投产。此前，SK 海力士宣布已于去年成功开发出全球首款基于 1c 工艺的 16 Gb DDR5 DRAM。

业内专家预测，SK海力士今年的设施投资将增至20万亿韩元中段。证券行业此前预计，SK海力士今年的投资规模将在20万亿韩元出头，但由于HBM需求激增，投资规模进一步增加。

SK海力士的设施投资此前从未超过20万亿韩元。2017年，该数字首次超过10万亿韩元；在新冠疫情推动的半导体繁荣时期，2022年达到19.65万亿韩元；去年，由于人工智能数据中心投资导致HBM需求激增，该数字达到17.956万亿韩元。

本文转载自“半导体行业观察”微信公众号；美股投资网财经编辑黄晓冬。

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