在人工智能浪潮持续推动下，美国存储芯片巨头美光科技(MU)交出了一份远超市场预期的业绩，但高强度资本支出计划令投资者情绪趋于谨慎，公司股价在盘后交易中下跌2%。

美股投资网获悉，财报显示，截至2月26日的2026财年第二财季，美光营收同比大幅增长至238.6亿美元，较去年同期的80.5亿美元接近翻三倍，远高于市场预期的200.7亿美元；调整后每股收益为12.20美元，也显著超过预期的9.31美元。净利润大幅跃升至138亿美元，上年同期仅为15.8亿美元，盈利能力显著改善。公司毛利率亦大幅提升至74.4%，较去年同期的36.8%实现翻倍增长。

强劲业绩主要受益于人工智能需求爆发带来的存储芯片紧缺。随着生成式AI快速发展，对数据中心算力的需求激增，推动以英伟达(NVDA)GPU为代表的AI芯片出货增长，而每一代AI芯片对存储容量的需求持续提升，进一步加剧了DRAM和NAND供需紧张。美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，AI驱动的存储需求增长、结构性供给约束以及公司执行力的提升，共同推动了业绩和指引的大幅上调。

从业务结构来看，公司云计算相关存储收入同比增长超过160%，达到77.5亿美元，而移动及PC业务收入也从去年同期的22.4亿美元跃升至77.1亿美元，显示需求复苏叠加AI周期对传统业务同样形成支撑。

展望未来，美光给出了更为乐观的业绩指引。公司预计第三财季营收将达到约335亿美元，同比增幅超过200%，调整后每股收益约为19.15美元，远高于市场预期的243亿美元营收及12美元左右的每股收益水平。公司同时强调，随着AI发展，计算架构将愈发依赖存储资源，美光将成为这一趋势的重要受益者。

不过，伴随需求爆发而来的，是资本开支的显著提升。公司预计本财年资本支出将超过250亿美元，高于市场此前预期的224亿美元，并预计到2027财年支出将进一步大幅增加，尤其是晶圆厂建设相关投入将额外增加逾100亿美元。目前，美光正在美国爱达荷州和纽约州推进大型晶圆厂项目，其中爱达荷工厂预计于2027年中投产，而纽约总投资高达1000亿美元的项目则预计在2028年下半年实现产出。

与此同时，美光正加速推进下一代高带宽存储(HBM)产品布局。公司已在本财年第一季度开始为英伟达下一代Vera Rubin架构量产HBM4，并计划在2027年推出升级版HBM4e产品。随着AI算力需求持续升级，HBM已成为行业利润最高的产品之一，推动厂商将更多产能向该领域倾斜。

然而，市场对美光的长期增长仍存在一定不确定性。作为AI算力核心厂商，英伟达在未来产品中对HBM供应商的选择，将对美光产生重要影响。若其在后续架构中减少对美光产品的依赖，可能对公司构成冲击。

行业层面，存储芯片供给紧张已对整个科技产业链产生溢出效应。由于厂商优先保障高利润的HBM产品，传统存储产品供应趋紧，价格持续上涨。惠普(HPQ)此前表示，存储芯片价格在当前季度已接近翻倍。SK集团董事长崔泰源也预计，全球半导体供需失衡可能还将持续四至五年。

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