当前的韩国半导体出口趋势呈现出几个关键特征：史无前例的“AI超级周期”爆发

2026-06-20

韩国6月半导体出口单价（历史数据基于全月数据，而2026年6月的数据基于6月1日至20日的初步数据）

多芯片封装/高带宽内存（MCP/HBM）出口单价： 95,939美元/千克，同比增长119%，环比增长15%

HBM

闪存（NAND Flash）出口单价： 72,784美元/千克，同比增长546%，环比增长28%

NAND

DRAM（含模组）出口单价： 58,740美元/千克，同比增长491%，环比下降4%

DRAM

DRAM（不含模组）出口单价： 82,260美元/千克，同比增长576%，环比增长6%

DRAM-no

美股投资网 TradesMax 对数据进行分析后发现，当前的韩国半导体出口趋势呈现出以下几个关键特征：

史无前例的“AI超级周期”爆发：

图表展现了自2025年底至2026年中期一条极其陡峭的“抛物线型”上涨曲线。

DRAM和NAND闪存的同比增幅均达到了惊人的5倍左右（491% - 576%）。这表明全球存储市场在经历前几年的低谷后，受到AI大模型和算力基础设施（AI服务器、数据中心）井喷式需求的强烈驱动，正处于极端的供不应求和价格飙升阶段。

HBM（高带宽内存）确立“价值之王”地位：

MCP（HBM）的绝对单价最高，逼近10万美元/千克（95,939美元/千克）。虽然它的同比增幅（119%）看起来没有其他品类夸张，这是因为它在去年的基数本就相对较高。HBM作为英伟达等高端AI GPU的刚需组件，其持续的环比增长（15%）证明了它在利润率和定价权上的绝对统治力。相关公司美光科技Micron MU 、三星、SK海力士

NAND闪存强劲复苏：

闪存单价不仅同比大涨546%，环比增幅更是领跑全场达到28%。这说明除了AI带动的DRAM需求外，大容量企业级固态硬盘（eSSD）在AI数据存储和训练中的需求也在急剧膨胀，带动了NAND市场的全面繁荣。

根据美股大数据 StockWe.com获悉

市场需求出现微弱的结构性分化：

值得注意的是，“DRAM（含模组）”是唯一出现环比下降（-4%）的品类，而“DRAM（不含模组）”仍在环比上涨（6%）。这可能暗示着：相较于供不应求的裸片（Die）和用于AI的高端定制化存储，主要用于传统PC或普通消费电子的标准化内存模组在价格上已经见顶或出现了轻微的需求疲软。

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