近日，闪迪 SanDisk公布了一项新专利HBF，可能是存储史上的一个重要转折，先科普一下什么叫存储角，AI跑大模型的时候，数据要从存储里读到计算芯片里，但存储的速度追不上芯片，导致算力被浪费。这就是AI行业头疼了十几年的存储墙。

之前行业的解法是HBM，但HBM单组容量只有32~64 GB, 跑万亿参数大模型至少需要64块HBM堆叠，功耗和成本都极高。闪迪的新思路是直接用NAND闪存堆叠在计算芯片正下方，配合HBM一起工作，最高能到4 TB, 是HBM的64倍。

这意味着什么？单个AI GPU就能跑1.8万亿参数的大模型推理，首次令牌生成时间降低41倍，存储终于从“等算力” 变成了“喂算力”。

为此，闪迪正积极探索新方案，先是推出HBF高带宽闪存方案，模仿HBM垂直堆叠思路，依靠TSV硅通孔多层互联，将多个NAND层垂直堆叠，HBF单堆容量最高可达4TB，明显高于当前HBM水平。

不过，该方案目前仅停留在专利阶段，封装复杂度、散热功耗、量产成本都是待攻克难题，商业化面临多重挑战。

该方案的关键在于CBA堆叠工艺。CBA全称CMOS directly Bonded to Array（控制电路直接键合存储阵列），是闪迪和铠侠联合研发的新一代3D闪存堆叠技术，其优势在于，存储与控制晶圆分开制作，互不干扰，闪存堆叠层数、读写性能大幅提升，但对晶圆纳米级贴合精度要求极高，设备与双片硅片将大幅拉高制造成本，量产良率管控难度大。

另外，根据美股大数据 StockWe.com 获悉，成本问题同样严峻，初步估算采用该架构的AI加速器单价将上涨40%，这可能限制其在消费级市场的推广。散热设计也需要重新构建，垂直堆叠结构无疑会增加热点密度。

你们觉得这项专利会是它冲击AI存储市场的王牌吗？