美股投资网获悉，总部位于韩国的全球三大存储芯片原厂之一，同时也是在HBM领域拥有最高市场份额的的存储芯片巨头——SK海力士(SK Hynix Inc.)已向美国证券交易委员会(即SEC)提交F-1表格注册声明(修订版)，拟将其股票在美股纳斯达克市场上市交易。

该公司计划以美股ADR代码“SKHY”上市其美国存托股票，即美股市场ADR。其中每份ADS代表该公司韩国股市普通股中未披露的一部分，其普通股每股面值5000韩元，并在韩国证券交易所KRX KOSPI市场上市。该公司在这份最新文件中表示，6月24日，其董事会决议，与此次发行相关的新发行普通股最高数量为1779万股，约占截至该决议日期其已发行且流通在外的普通股总数约7.12702亿股的2.50%。

该公司拟将此次发行所得净收益用于与该公司在韩国建设存储芯片重大产能扩张设施相关的45.5万亿韩元资本开支。该公司还计划将资金用于采购昂贵的EUV光刻机，预计其成本约为11.9万亿韩元，并且预计将在2027年12月前收到批量交付。

SK海力士还预计，将使用经营活动现金流、现有及未来信贷额度和债务证券项下的某些借款，以及其他融资资源，来为完成重大产能扩张基础设施建设和采购所需金额中超出此次美股市场发行所得净收益的部分提供资金。

美国银行、花旗集团、高盛和摩根大通等华尔街金融巨头们将担任此次大型IPO的全球协调人。

该公司上周表示，预计其股票将于7月10日开始在美股市场交易。该公司寻求通过此次上市筹集45.45万亿韩元(即大约约294亿美元)。

HBM王者借AI狂潮赴美上市融资，全球资金大举押注“硅基通胀”

按拟议的筹资与发行规模测算，具体则取决于汇率，SK海力士的美股ADR发行将跻身全球股票市场史上前三大首次股票发行之列。根据机构汇编的数据，它将可与沙特阿美2019年294亿美元的超级IPO相媲美，全球最大规模IPO则是马斯克创立的SpaceX至少750亿美元的无与伦比筹资规模。

SK海力士是向英伟达(NVDA)等AI芯片领军者们供应高带宽内存，即HBM存储系统的最核心供应商。此次美国上市计划也为SK海力士的非凡崛起画上一个阶段性句号。成为在全球堪称AI芯片垄断地位的AI芯片超级霸主商英伟达(NVDA)的首选HBM供应商后，它成为高带宽内存组件系统(即HBM系统)的全球最大HBM市场份额供应商。这使其在市值以及整体DRAM份额上一度超越长期以来的韩国竞争对手三星电子公司。

据了解，此次美国股票市场存托凭证(即美股ADR)发行发生在SK海力士在韩国首尔市场交易的股票过去12个月疯狂上涨约850%之后，这推动该公司市值升至1万亿美元以上，一度超越韩国长期以来最大市值公司三星电子。由于仓位愈发拥挤且杠杆化策略规模越来越大，围绕与AI算力基建狂潮相关的半导体公司的投资者情绪近期一直波动不定，其今年以来的整体上涨过程中夹杂着双向剧烈波动。

SK海力士(SK Hynix Inc.)可谓积极寻求通过在美国股票市场上市交易来募集45.45万亿韩元(294亿美元)，以利用全球投资者们对近年来股价狂飙且极度稀缺的存储芯片超级巨头股票的强劲需求。SK海力士赴美上市计划令资金蜂拥而至，加之美国存储芯片巨头美光(MU)刚公布的无比强劲业绩与展望，可谓凸显出存储芯片超级周期远未谢幕。

SK海力士欲筹集约294亿美元的赴美上市计划与美光最新公布的“业绩+指引”双爆表，合在一起可谓大幅强化了一个市场坚定的乐观周期判断即所谓的“存储超级周期”远远未完结，而且已经从传统PC/智能手机周期，升级为AI数据中心主导的结构性稀缺超级周期。美光验证的是需求端真实强度，SK海力士验证的是资本端追捧热度，凸显出投资者仍愿意为“存储芯片供给瓶颈”支付高溢价。

今年以来全球资金所谓“寻觅硅基通胀、削弱碳基”的宏大投资叙事，本质是资本从传统制造、汽车、消费、地产、能源等依赖人口、资源和线性经济增长的“碳基资产”，转向AI算力基础设施相关的围绕硅片的高端制造链条。

当前全球资金拥抱“硅基通胀”的核心逻辑无疑在于——AI时代最稀缺的不是传统劳动力、地产或一般类型的生产与制造产能，而是GPU/ASIC、HBM/DRAM/NAND存储芯片、数据中心CPU组件、高性能以太网基础设施、先进封装产能、EUV等最前沿半导体制造设备、数据中心电力链条以及数据中心光互连/光通信这些“硅基生产资料”。

HBM涨价、NAND长协与EUV扩产共振，存储芯片正在从“周期性商品波动”迈向“近乎无止境算力刚需”

SK海力士赴美上市的核心意义，也许不只是融资，而是把HBM龙头从韩国本土周期股估值折价框架推向美国AI算力基础设施资产定价体系。正如以上所描述的那样，SK海力士赴美上市计划以及全球资金对于该公司美股ADR需求热度所验证的是资本端追捧热度，凸显出投资者仍愿意为“存储芯片供给瓶颈”支付高溢价。

SK海力士作为英伟达、谷歌等AI系统所需高带宽内存(HBM)的核心供应商，如果能在美股市场获得接近美光等可比公司的估值倍数，其韩国本土股票也可能被反向重估。 从产业工程角度看，HBM已经不是普通存储配件，而是决定GPU/ASIC集群吞吐、功耗效率和推理并发能力的关键约束;SK海力士用美股融资锁定龙仁、清州先进封装与EUV产能，本质是在AI算力短缺时代提前锁定“内存带宽供给权”。

高盛6月DRAM调查所揭示的是HBM定价权正在被传统DRAM紧缺重新锚定。DDR5现货价格自5月1日以来上涨20%，较5月合约价溢价25%;DDR4同期上涨11%，溢价高达45%，这意味着现货市场已经大幅领先合约市场，后续合约价格仍有上修压力。更关键的是，高盛将三星2027年HBM价格同比增长预测从+14%大幅上调至+44%，并认为在HBM供需偏紧、传统DRAM与HBM价差扩大的背景下，预测仍有上行风险。

韩国5月DRAM出口环比增长21%、同比增长370%，台湾服务器ODM合计营收同比增长53%、全球最大服务器BMC芯片供应商Aspeed营收同比增长69%，足以联合说明这轮存储涨价并非单一库存补库，而是AI GPU机架级服务器、AI ASIC服务器机架、HBM封装和传统DRAM供给再分配共同造成的系统性紧张。换句话说，HBM涨价逻辑不是孤立存在的，而是整个AI数据中心内存层从“容量资源”升级为“带宽资源、功耗资源和交付资源”的结果。

此外，华尔街金融巨头伯恩斯坦在最新研报中大幅上调闪迪目标价至3000美元，则代表NAND存储芯片端的估值逻辑也在发生显著变化市场不再只看短期NAND现货价格，而是开始给长期供货协议(LTA)带来的现金流可见度和下行保护重新定价。

伯恩斯坦将闪迪(SanDisk)目标价从1700美元大幅上调至3000美元，并维持跑赢大盘评级。伯恩斯坦表示，新一代LTA与历史上偏向客户的“保供协议”不同，开始引入固定价格或价格区间、客户资金承诺或金融担保、3至5年合同期限，使存储厂商第一次在价格下行周期中获得更强的盈利缓冲。按伯恩斯坦最新进行的压力测试，若闪迪60%出货量受LTA覆盖，即使NAND价格较峰值暴跌72%至0.11美元/GB，2030财年EPS仍可达214美元，而无LTA保护仅约81美元;若到FY30在极端0.06美元/GB ASP压力下，60%至80% LTA覆盖仍可支撑综合ASP维持在0.19至0.24美元/GB、毛利率保持80%以上。

这些最新市场动态都意味着AI数据中心正在同时重估DRAM/HBM的“稀缺定价权”和NAND的“合约现金流属性”周期不会消失，但存储芯片原厂公司们的长期低估值、强波动、纯商品化标签正在被全球AI数据中心建设进程对于AI算力资源近乎无止境的刚需和长期锁价合同系统性大幅度削弱。

屡创历史新高的三星与SK海力士股价涨势远未完结?

野村是目前最激进的看多存储芯片板块的大型金融机构。野村在近日发布的一份研究报告中，将三星电子目标价从34万韩元上调至59万韩元，将SK海力士目标价从234万韩元上调至400万韩元，对应潜在上涨空间分别约118%和120%。

野村的核心看涨逻辑在于，AI已经把存储从传统PC/手机周期品改造成数据中心长期成长资产智能体AI推理需要巨量键值缓存(KV Cache)，HBM供给显著落后于需求;其预计全球数据中心整体资本开支将从去年的1.16万亿美元增至2030年的6.13万亿美元，其中内存占数据中心投资比重有望从当前9%升至23%，因此三星与SK海力士约6倍12个月前瞻市盈率明显低估，存在向台积电约20倍估值体系靠拢的重估空间。

无论是谷歌无比庞大的TPU AI算力集群，抑或天量级别英伟达AI GPU算力集群，均离不开需要全面集成搭载AI芯片的HBM存储系统，叠加当前科技巨头们加速新建或扩建AI数据中心必须大规模购置服务器级别DDR5存储以及企业级高性能SSD/HDD;而三星电子、SK海力士以及美光科技正好同时卡在这三块最核心存储领域HBM、服务器高性能DRAM(包括 DDR5/LPDDR5X)、以及高端数据中心级别SSD，是“AI内存+存储堆栈”里最直接的受益势力，可谓吃到AI基建浪潮的“超级红利”。

GPU负责生成智能，HBM/DRAM负责高速喂数，企业级NAND/eSSD负责热数据与缓存，而HDD负责天量级别的冷/温数据的长期留存，因此高盛等华尔街金融巨头们认为云计算巨头们主导的AI算力军备竞赛正在把存储芯片从周期品推成稀缺战略资产，2026年DRAM/NAND涨价不是尾声，而可能是超级周期的初步阶段。

知名半导体产业链研究机构SemiAnalysis最新发布的一项研究显示，尽管中国DRAM存储巨头长鑫存储未来几年将维持全球最快的扩产节奏之一，但SemiAnalysis并不认为这会改变DRAM市场供给偏紧的大趋势。相反，该机构认为，AI服务器、高性能计算以及云计算基础设施建设正在持续推高存储需求，而新增产能释放速度仍难以追上需求增长。

根据SemiAnalysis测算，即便将长鑫存储、三星、SK海力士和美光等主要厂商的扩产计划全部纳入模型，2026年全球DRAM市场仍将面临高个位数比例的供应缺口;到2027年，供需缺口甚至可能进一步扩大至低至中双位数水平。基于这一判断，该研究机构预计DRAM供给紧张格局有望延续至2028年前后。换句话说，即便长鑫存储快速崛起并持续扩产，也难以从根本上扭转行业供不应求的局面，这也是SemiAnalysis持续看多DRAM价格以及整个HBM/DRAM/NAND存储行业景气周期的重要逻辑基础。

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