这份来自海力士产业专家的最新调研，最重要的结论不是“存储还会涨价”，而是存储市场已经明显分化。

服务器客户最担心的是拿不到货，所以短期内仍愿意接受涨价；手机等消费电子客户面对销量下滑和库存上升，已经开始减少采购。

同样是存储芯片，接下来的价格走势会完全不同。

服务器：缺货仍是主要矛盾

目前美国大型CSP仍在与存储原厂谈长期供货协议。协议通常锁定未来三至五年的采购数量，但价格并不是一次固定多年，而是按年度重新谈判，部分合同还会设置价格上下限、保证金和违约条款。

这说明云厂商真正想锁定的不是低价，而是供应。

调研显示，部分2027年合同可能已经初步确定年度价格或价格区间，但并非所有客户都已完成谈判，具体条款也高度保密。因此更准确的说法是：2027年的供应量正在被提前锁定，部分价格已有框架，但不能说全行业价格已经完全确定。

服务器客户目前并没有强烈抵制涨价，原因很简单：内存仍然缺货，部分服务器甚至需要降低配置才能出货。

专家给出的价格判断是：

• 2026年第三季度，服务器DRAM价格预计环比上涨15%至20%，部分产品涨幅可能超过20%，但达到30%的概率不高。

•服务器NAND第三季度涨幅可能接近20%。

•第四季度涨幅会收窄，但服务器DRAM仍可能上涨5%至10%，企业级NAND仍有10%至15%的上涨空间。

• 2027年服务器市场预计仍然偏紧，非顶级CSP客户的采购价格仍可能继续上涨。

季度价格通常先以临时报价出货，最终结算价到季度后段才敲定。但在当前供需没有明显逆转的情况下，最终价格大幅低于临时报价的可能性不高，定价主动权仍在原厂手中。

消费电子：涨价正在碰到需求天花板

手机、PC等消费电子客户的处境完全不同。

前期持续备货已经推高库存，但终端销量却在下降。部分手机厂商在2026年第二季度已经因为无法接受三星报价而减少采购，说明消费客户并不是不缺货，而是利润空间已经无法继续吸收涨价。

调研预计，消费类存储价格的涨幅会比服务器更快收窄，到第四季度可能接近涨不动。随着采购量下降，而供给端并未同步大幅收缩，消费类市场可能在2026年第四季度形成新的供需平衡。

美股投资网认为，接下来不能再笼统地说“存储全面涨价”。更准确的判断是：

•企业级DRAM和企业级SSD仍由AI服务器需求推动，价格保持强势。

•手机和PC存储开始受到终端需求疲软与高库存压制。

•原厂会继续把资源向服务器、HBM和高端产品倾斜，但无法在短时间内彻底退出消费市场。

为什么2028年前供给很难快速增加？

近期美国CSP签下部分长期协议后，存储原厂确实开始加快扩产，但新增产能不会马上出现。

2028年上半年以前的产能计划早已确定，现在追加的设备和厂房，大多要到2028年下半年以后才能形成有效供给。行业目前的公开目标，是到2030年把总产能提高到2025年底的约两倍，但实际扩产会分多年完成，年均增长大约16%至17%。

DRAM与NAND的扩产方式也不同。

DRAM要增加产量，最直接的方法是增加晶圆投片，因此需要更多厂房和设备。NAND则可以通过提高堆叠层数，例如从300层升级到400层，在不大幅增加晶圆数量的情况下提升比特产出。

海力士大连二厂属于既定扩产项目，预计2027年上半年完成准备、下半年开始量产，但第一年产量不会很大。调研估计，2027年底月产能可能只有1万至2万片，真正爬升到接近一期的9万至10万片水平，可能要等到2029年前后。

扩产最大的瓶颈不是钱，而是设备和时间。

• EUV光刻机交付周期约两年半至三年，逻辑芯片与存储厂商都在争抢ASML产能。

•洁净室建设通常需要约两年，海外项目还要面对土地、环保审批和施工进度。

•任何一个环节延误，都会让新增产能晚于市场预期。

这意味着，即使原厂今天决定大规模扩产，2027年的供应紧张也很难立即缓解。真正可能改变供需关系的时间点，更接近2028年下半年至2029年。

HBM可能在2027年迎来补涨

调研认为，HBM采用年度定价，因此2026年的合同价格没有完全跟上普通DDR的涨幅。

渠道估算显示，大客户采购HBM3E的价格约为每GB 12至13美元，HBM4约为每GB 19美元。由于服务器DDR5价格已经快速上涨，部分口径下普通DDR的单位容量价格甚至可能超过HBM。

这并不代表HBM技术价值下降，而是年度合同让它的价格调整慢了一步。如果2027年AI需求继续强劲，HBM存在重新定价和补涨的可能。

需要纠正一个技术口径：1b、1c属于DRAM存储芯片制程，不是HBM底部逻辑芯片的制程。HBM4的基础逻辑芯片通常采用4纳米或5纳米逻辑工艺；HBM4E为了达到更高性能，存储芯片将更依赖1c DRAM制程。

2028年的两个新变量：CXL与HBF

当前市场已经充分讨论AI服务器、HBM和大容量企业级SSD，但2028年前后可能出现两个尚未被完全计入预期的需求来源。

CXL主要增加DRAM需求。它允许服务器把内存从单机独占变成可共享、可池化的资源，让不同CPU和加速器更灵活地调用内存。各厂商已经推出样品，但应用仍处于早期，大规模放量可能要等到2028年以后。

需要注意，CXL内存池化与NVLink 72不是同一项技术。NVLink主要连接GPU并提供高速互联，CXL则更侧重CPU、加速器和内存设备之间的开放连接，不能把两者直接等同。

HBF可以理解为面向AI工作负载的高带宽闪存方案，主要对应NAND的新应用。产业目前仍处在早期阶段，具体需求取决于英伟达等客户是否采用。调研预计其量产可能在2027年底附近，真正形成规模更可能在2028年。

投资上应该看什么？

美股投资网认为，这份调研对存储投资的意义可以浓缩成一句话：2026年下半年不是存储周期结束，而是企业级与消费级开始分化。

对MU、SK海力士和三星来说，服务器DRAM、HBM和企业级NAND仍有价格与利润支撑；对手机和PC供应链来说，成本压力已经开始反过来压制采购量。

真正需要警惕的不是2026年第四季度服务器存储突然过剩，而是三个更靠后的变量：

• 2027年价格继续上涨后，CSP是否开始下调资本开支或减少单机配置。

• 2028年下半年新增产能集中释放后，供需是否快速转松。

•消费电子需求持续下滑，是否最终拖累原厂整体产品组合。

目前最清楚的交易逻辑仍然是：服务器端缺货没有结束，原厂定价权仍在；消费端已经接近承受极限；新增供给最快也要到2028年下半年才可能真正改变市场。

这轮存储周期还能走，但已经不能闭着眼睛买整个行业。接下来真正拉开回报差距的，是谁更集中于服务器、HBM和企业级SSD，谁又更容易被手机与消费电子拖累。