美股投资网获悉，8月13日的闪迪投资者日或将成为存储芯片乃至全球AI算力产业链的重要催化剂，美国NAND存储芯片巨头闪迪(SNDK)此前公布的第二季度(该公司第四财经)业绩全线超预期，但是对于下一季度的营收与盈利展望略低于市场不断升级的预期，这也凸显出用于人工智能数据中心的企业级NAND存储芯片需求持续扩张，但是市场对于闪迪未来增长预期愈发严苛，稍不及预期就有可能引发股价剧烈震荡。管理层在“闪迪投资者日”释放出的任何增长前景强化信号或者NAND需求与技术迭代信号，都可能成为全球存储股延续反弹的“基本面确认器”。
闪迪管理层上周在业绩电话会议上公布的业绩展望并没有显著超预期，而且管理层也给出了毛利率将趋于平台期且维持在83%—85%附近的指引，对应全年每股收益(EPS)约为180美元。如果按照10倍市盈率计算，对应股价约为1,800美元。目前闪迪股价徘徊与1,350美元。因此，从本质上讲，市场并不相信80%以上的毛利率具有可持续性，而是在定价一个更低的未来EPS。
至少未来两个季度的核心业绩数据超预期已经被市场默认。现在，关注焦点已经转向一旦NAND闪存价格停止上涨、供给逐渐追上需求之后，管理层能否向市场释放有关正常化毛利率究竟会处于什么水平以及关于2027年增长前景的重磅信号，或者会否透露关于NAND下一轮最大规模的结构性需求增量之一——HBF的任何技术迭代信号。
更具体而言，投资者们会重点关注这样一个信号公司基于LTA(即长期NAND供货协议)的新商业模式合同是否能够持续支撑较高的毛利率和当前的愈发强劲企业级数据中心NAND业务营收结构。只有到了那个时候，投资者们才会相信资金将会再次对这只股票进行实质性的估值重估。在这一信号出现之前，也许任何周度层面的拉升，都只不过是披着上涨外衣的波动。如果基本面没有发生变化，一些分析师并不认为股价能够重新上涨至历史最高点。
铠侠、闪迪(Sandisk)、SK海力士以及三星明确把高带宽闪存(HBF)定义为一种面向AI“内存墙”的新型NAND形态，目标是在AI推理中提供更大容量，并声称HBF在相关推理测试中可实现接近“无限容量HBM”的综合传输性能，同时显著提升可用内存容量。闪迪与SK海力士已发布首份OCP技术规范，试图把高容量、持久性NAND放置得更接近AI加速器，以缓解推理阶段的“内存墙”，在容量远高于HBM的同时提升带宽并降低Token服务总体成本;它并非短期替代HBM，而可能在HBM与传统SSD之间创造新的近计算存储层。
NAND迎来“推理时代”关键验证!闪迪投资者日直面HBF商业化?
闪迪(即“SanDisk”)投资者日确实很可能成为全球存储芯片交易乃至AI算力基础设施主题交易的关键催化剂，但市场真正要听的不是“下一季还能涨多少价”，而是三件事——NAND正常化毛利率、长期供货协议(LTA/NBM)的盈利稳定性，以及HBF(High Bandwidth Flash，即高带宽闪存)从技术标准走向商业化的时间表。
闪迪此前8月3日刚与SK海力士发布首份OCP HBF技术规范，Google(谷歌)和Tenstorrent等AI技术领军者们参与验证，明确把HBF定位为AI推理系统中靠近xPU、兼顾高容量与高带宽的新内存层;8月12日又与铠侠发布面向AI基础设施的新一代2Tb QLC 3D NAND。
HBF(高带宽闪存)则很有可能成为NAND下一轮最大规模的结构性需求增量之一——甚至一些分析师强调最新的HBF技术规划与展望意味着“NAND试图复制HBM的历史时刻”，闪迪与SK海力士在8月刚刚发布首个开放HBF技术规范它基于3D NAND，却不再只是远端SSD存储，而是通过先进封装和UCIe接口靠近CPU/GPU/xPU，单封装最高可做到512GB容量、0.4—3.0TB/s带宽;闪迪(Sandisk)计划2026年下半年提供首批HBF样品，首批搭载HBF的AI推理设备预计2027年初进入样品阶段。
因此，管理层在投资者日进一步解释HBF路线图、量产/客户导入节奏、eSSD与QLC扩张，以及新商业模式如何维持高毛利的概率很高，但投资者们需要警惕的是，在会议正式披露之前不能将“HBF技术路线与重大商业化公告”视为确定性的披露事件。
闪迪自身FYQ4(即第四财季)总营收已达89.7亿美元，环比大幅增长51%，其中约三分之二增长来自价格，同时指出其数据中心业务相关总营收同比约大幅增长400%;如果闪迪管理层能把“高ASP”进一步升级为“长期合同+AI存储结构性增量+HBF新产品周期”，可能进一步助推闪迪乃至全球存储芯片股近期强劲涨势。
更重要的是，当前“AI存储牛市”已经拥有跨公司、跨介质的产业链硬证据，而不仅是闪迪单点景气。三星明确预计2026年下半年服务器DRAM、eSSD与HBM需求将进一步加速，即使手机/PC需求有所放缓，行业仍将保持供不应求;SK海力士则称Agentic AI正在扩大整个DRAM/NAND存储芯片需求基座，第二季度NAND与DRAM价格均显著上涨，并继续把NAND产能转向321层、高容量与高性能产品。
西部数据第四财季营收同比大幅增长44%至37.5亿美元、希捷总营收同比大幅增长48%至36.3亿美元且自由现金流11亿美元，两家公司都强调AI云数据中心带来的大容量存储需求;需要严谨区分的是，西数与希捷现在主要验证的是HDD/海量数据存储(Mass-Capacity Storage)需求，而不是直接证明NAND需求，但它们共同说明AI推理时代正在制造一个更大的数据生命周期——训练数据、模型检查点、RAG数据库、日志、推理上下文以及长期数据留存都会把需求从HBM一路推向DRAM、eSSD/NAND和HDD。两大存储巨头占据50%权重的韩国股市较7月30日低点大幅上涨超20%，进入技术牛市区域，可谓共同凸显出AI基建狂潮驱动的HBM/DRAM/NAND存储超级周期仍在强势上演。
大摩空头转多验证存储超级周期未完待续
对于存储芯片股票看涨情绪而言，摩根士丹利资深分析师Shawn Kim从此前的“空头代言人”转向认为调整接近尾声，是重要的市场信号，但更准确的理解不是“他突然认为存储价格永远上涨”，而是他认为市场已经把“价格二阶导数下降”交易得过头了。据了解，Shawn Kim认为存储芯片短中期内的最剧烈的调整已经结束，当前估值提供战术性重新入场机会，并将SK海力士2026年EPS再度上调。
摩根士丹利调研报告显示，Q3 NAND合约价格预计将在上季度高基数基础背景下环比大幅上涨20%，且产业正在继续把产能从消费端转向eSSD;与此同时，Kim把下一阶段股价驱动力从单纯的ASP上涨，转向“LTA长期供货协议+自由现金流增长轨迹(FCF)+强劲资本回报”。这位分析师最新观点也恰恰揭示下一阶段NAND投资逻辑正在从“NAND涨价Beta”转向“AI推理需求+eSSD内容量提升+长期合同锁价+HBF新架构Alpha”。
从AI系统工程角度看，这一轮存储超级周期最大的不同，是HBM/服务器DRAM/企业级SSD正在从普通周期品升级为AI算力系统的物理瓶颈。马斯克在SpaceX 2026年第二季度财报电话会上罕见点评存储市场，他在电话会上表示，存储供给每年增长约20%，但需求增速高达200%甚至更高，供需严重失衡，价格上涨是经济学基本规律。SK海力士CEO郭鲁正此前在7月电话会议上表示，2027年可能成为全球存储行业有史以来供应最紧张的一年，并且客户需求超过公司供应能力的状态可能延续至2030年以后。
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