美股投资网获悉，美东时间9月30日美股盘后，美光科技(MU)公布2026财年第四财季的业绩报告，管理层在电话会议上释放乐观信号，称AI驱动的内存需求持续强劲，2027年及2028年供需将保持紧张，公司对长期增长信心增强。管理层称，2027财年超过75%出货已锁定，SCA覆盖至2030年约35%销售额;HBM增速快于传统DRAM，2027年定价已显著上调。供应端受洁净室建设、技术转型回报递减及HBM trade ratio上升制约，公司暂未看到供需平衡时点。
管理层核心观点是AI驱动的内存需求远未看到供需平衡，2027年及2028年市场将持续紧张，甚至2028年可能比此前预期更紧。总裁兼首席运营官Manish Bhatia表示，服务器单位进入2027年继续增长，代理式AI快速兴起还带来CPU驱动的内存需求;公司2027财年超过75%出货已锁定，并已将客户分配谈判延伸至2028年。供应端则受制于技术转型回报递减、HBM增长快于传统DRAM、HBM产能消耗比(trade ratio)上升以及洁净室建设周期长等结构性约束，因此公司“看不到供需何时平衡”。
HBM仍是焦点。管理层称HBM出货增速将快于传统DRAM，到2028年占行业产能份额继续提升;2027日历年的HBM定价已显著上调，并将在年初重置，以缩小与传统DRAM的盈利差距。HBM市场份额方面，公司不追求单一数字，而是大致维持与整体DRAM份额相当。HBM4E方面，Scott DeBoer称公司与英伟达共同设计NV HBM已一年多，这将是首个重要定制HBM产品，差异体现在功耗、速度和产品质量，预期带来高价值与强ROI。
战略客户协议(SCA)方面，公司已签署26个SCA，到2030年覆盖约35%销售额，涵盖DRAM和NAND;其中DRAM量略低于35%，NAND位元略高。新签10个客户从小型到大型不等，所有业务单元均有覆盖。约四分之三SCA收入有明确价格框架，四分之一开放定期谈判或随市场定价，多数设有上下限，但新协议已按当前市场条件和未来紧张预期重新定价。
资本支出方面，CFO Mark Murphy称2027财年建设资本支出增加主要投向2028年底及以后上线的洁净室，以加速产能空间;但支出不会立即转化为位元，公司将根据需求趋势和设备供应协议灵活配备产能。中国方面，管理层称中国敞口持续下降，2027财年预计降至个位数;技术领先中国竞争对手至少2个节点，1-gamma DRAM已是多数位元，1-delta将于明年下半年量产，EUV是关键差异化。
对于移动和客户端，管理层承认位元出货环比下降，但收入因定价和组合改善而增长，高端客户端和旗舰手机需求强劲。NAND方面，预计行业2027-2028年增长约20%中段，市场保持紧张;新加坡洁净室用于先进研发和HBM试点，导致今年供应增长低于行业，但G9爬坡将提供高ROI供应。整体上，管理层认为AI硬件需求、SCA锁定和供应约束将支撑长期强劲财务表现，尽管启动成本和价格涨幅放缓可能部分抵消利润率扩张。
以下为美光科技2026财年第四季度财报电话会议纪要
Satya Kumar
投资者关系与司库企业副总裁
欢迎参加美光科技2026财年第四季度财报后分析师电话会议。今天与我共同出席的有总裁兼首席运营官Manish Bhatia、总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer博士，以及首席财务官Mark Murphy。
提醒各位，我们今天讨论的内容包含有关市场供需、市场趋势与驱动因素、预期业绩与指引及其他事项的前瞻性陈述。这些前瞻性陈述受风险和不确定性影响，可能导致实际结果与今日陈述存在重大差异。请参阅我们向SEC提交的文件，包括最新10-K表格及即将提交的10-Q表格，以了解可能影响业绩的风险。
尽管我们认为前瞻性陈述所反映的预期合理，但无法保证未来结果、活动水平、业绩或成就。我们没有义务更新任何前瞻性陈述以使其符合实际结果。现在开放问答。
问答环节
Benjamin Reitzes
Melius Research LLC
恭喜履新，Scott。我想谈谈2028年。你们新增了对2028年的评论，并称2028年供需比今年和2027年更紧张。我想了解哪些因素发生变化，以及对利润率意味着什么。你们围绕2027年给出了比以往更多的利润率评论，这很好，但我不认为2028年利润率会偏离你们对2027年暗示的水平。请就2028年进一步说明。
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
当然，Ben。我先回答，Mark如有补充再说。也感谢你的祝贺。就2027年和2028年而言，我们看到的需求驱动因素较以往更强。我们提到服务器单位进入2027年继续增长。同时，代理式AI增长迅速，正形成CPU驱动的需求流。因此，在制定2027财年计划时，我们已锁定全年超过75%的出货量，显示需求走强，并使我们能够将与客户关于分配的谈判延伸至2028年。
这是信心来源之一2027年需求形势较此前预期更强。同时，随着我们与客户进行更多长期协议(SCA)谈判，包括已谈成的延期，我们对长期前景也更有信心。两者结合，使我们对到2028年的需求前景非常强劲。
供应侧，我们此前讨论的结构性约束仍在技术转型的回报递减;到2028年HBM增速快于传统DRAM，意味着HBM在行业产出能力中的份额上升;同时，不仅针对当前HBM的产能消耗比(trade ratio)，未来更复杂HBM的更高产能消耗比也将限制供应。
此外，全行业新建洁净室需要较长时间建成、认证并配备设备，即便投产，也需数个季度才能形成有意义出货。因此，综合需求与供应前景，我们目前看不到供需平衡的时点。
Mark Murphy
执行副总裁兼首席财务官
Ben，我补充一点。正如你所指，2027年我们已表示，全年利润率将较第一季度扩张，原因是价格继续上涨，但涨幅更为温和。我们此前也多次表示，价格涨幅最终将放缓。届时，除较低速度的涨价外，产品组合将改善，我们将基于技术与产品领先地位优化组合。
正如我们所说，市场状况预计保持紧张，并将在2028年前提供支撑。价格与有利组合的部分抵消项是启动成本。但这些都是我们正在管理的事项，我们预计能够维持强劲财务表现。
Benjamin Reitzes
Melius Research LLC
再追问一个。Sanjay在特朗普的午餐会上占据重要席位。他是否对行业增长与自我监管能力感到乐观?这是否支持其给出的乐观指引?会议是否有更多信息，内存是否被频繁提及?
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
Ben，Sanjay不在线，我仅就我所了解的对话说明。我们当然很高兴参与该论坛。美光与模型公司及加速器公司一同受邀，显示内存的重要性。会议发布的白皮书框架已获多家模型公司签署，该框架对继续推进AI基础设施，尤其是AI硬件基础设施，具有建设性。
我了解到，讨论较多的一个概念是，管理部分安全问题的方式是采用安全解决方案，而这将需要更先进硬件，包括更高性能、更低延迟内存，以及更高带宽内存。因为未来可能设置的用于管理安全问题的网关，其响应能力将在很大程度上取决于高性能与低延迟内存的可用性。
Melissa Weathers
德意志银行研究部
也恭喜两位新晋升者。过去几个季度，你们曾给出对2028年、2030年HBM总TAM的看法。显然，定价环境已发生变化。你们是否愿给出HBM TAM的新官方数字?从方向上看，能否帮助我们估算其中多少来自位元、多少来自定价?以及对市场规模的最新看法?
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
Melissa，谢谢。我们目前不更新该TAM展望。但我们曾表示，HBM出货量预计快于传统DRAM增长，这意味着到2028年HBM占行业产能的比重将继续上升。定价方面，至少对我们而言，我们已大幅上调日历年2027年HBM定价，并将在日历年初重置，以缩小与传统DRAM的盈利差距。除此之外，我们未对HBM TAM具体前景作出评论。该市场持续增长，仍是重要推动因素，HBM部署继续是释放更广泛AI潜力的关键。因此，它是市场的重要组成部分。
Melissa Weathers
德意志银行研究部
明白。从市场份额看，你们对HBM份额目标是否有更新?过去你们称希望提升至公司平均水平附近，即20%出头的市场份额。现在是否仍如此?另外，我注意到你们在事先准备发言中提到HBM4E及与英伟达的合作。请就2027年及HBM4E客户进展提供更多信息。
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
我先回答第一个，HBM4E由Scott回答，因为他负责该产品开发。就HBM市场份额而言，约一年前我们实现了一个里程碑，即HBM市场份额达到整体DRAM市场份额。当时我们表示，目标将根据多种因素变动。除表示HBM份额预计将与整体DRAM份额大致相当外，我们并未更新具体份额目标，也不以某一数字为绝对目标。
份额将因多种因素波动。但如前一问题所述，HBM是市场非常重要的一部分，使我们能够贴近客户设计并部署的加速器平台前沿，也是其他AI兑现承诺与潜力的关键推动因素。
Scott DeBoer
总裁兼首席技术与产品官
我补充关于与英伟达合作的情况。这将是市场上首个重要定制HBM产品。我们已与英伟达在HBM4E上合作一年多，即所谓NV HBM。我们认为其中存在重大机会，因为与关键客户共同设计该产品，使其价值显著超越标准HBM4E。我认为这将对行业产生实际影响，展示未来系统如何优化产品。
Atif Malik
花旗集团研究部
第一个问题关于26个SCA，到2030年占销售额35%。这些是否同时涵盖DRAM和NAND?能否拆分?
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
Atif，是的。我们不拆分，但SCA协议确实涵盖DRAM和NAND，并持续至2030年。具体而言，DRAM量略低于35%，NAND位元量则略高。展望未来，我们拥有更多可用量。正如我们所说，随着继续就SCA谈判，该数字未来可能更高。
Atif Malik
花旗集团研究部
明白。关于中国竞争影响，首先能否确认中国销售敞口较小?Scott能否评论中国竞争对手在技术上缩小差距的情况?
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
第一个问题，是的。过去几年及过去几个季度，我们的中国敞口持续下降，预计2027财年将降至个位数区间。
Scott DeBoer
总裁兼首席技术与产品官
技术方面，目前我们的技术领先中国竞争对手至少2个节点。需要强调的是，我们专注于保持技术领先，并在产品与竞争方式上实现真正差异化。如Manish此前及电话会议中所述，我们的1-gamma DRAM技术已占我们多数位元，并有望成为公司历史上最大节点。该技术依赖EUV。下一代1-delta进展顺利，我们专注于明年下半年量产。EUV技术对今后所有先进DRAM节点都至关重要。我们在该领域的专业能力，包括与技术供应商合作、掩膜技术等，继续是美光的关键差异化因素。
Karl Ackerman
法国巴黎银行研究部
你们在多数产品组合中看到强劲需求，但本季度移动和客户端部门位元出货量似乎连续第二个季度下降。更高内存价格是否在削弱该领域需求?此外，该领域采用SCA较慢，你们的SCA增长是否来自这一客户群?
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
谢谢，Karl。我们确实看到移动和客户端业务部位元环比下降，但收入因定价上升和组合改善而增长。需要指出，客户端和旗舰智能手机的高端细分市场对更高内容、更高性能解决方案需求强劲，这也是我们重点关注的领域。受此推动，我们预计PC和移动行业收入将增长，尽管单位销量下降。
SCA方面，我们在所有业务部门均有SCA，包括移动和客户端。我们不具体拆分，但保持SCA有助于向所有终端市场维持多元化供应。
Karl Ackerman
法国巴黎银行研究部
明白。问Scott一个问题。你如何看待你们在HBM4E上的内部优化基础芯片相对同行的竞争力?部分客户正在采用定制解决方案。复杂性和经济价值主要流向计算客户还是HBM供应商?
Scott DeBoer
总裁兼首席技术与产品官
先澄清一点。HBM4E上，我们与英伟达共同设计，但并非像HBM4那样使用内部基础芯片。HBM4E的共同设计基于代工工艺，既用于定制产品，也用于JEDEC标准产品。
差异化方面，正如我们过去在HBM产品上展示的，最终体现在功耗、速度性能以及产品与客户合作中的余量。此前各代产品中，不同供应商表现并不相同，我们认为这将继续是美光在产品质量和能力方面的优势。
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
Karl，关于经济价值，HBM是高端产品。如Scott所述，带有定制化的NV HBM预计也将是高价值产品。我们相信HBM将继续贡献并成为高ROI产品。
James Schneider
高盛集团研究部
恭喜Manish和Scott。我想了解本季度签署的10个新客户SCA，客户在要求什么?显然他们希望获得供应，且期限更长。但定价结构是否发生变化?鉴于2027和2028日历年预计紧张，如果未来几年可捕获更多上行空间，你们是否不太倾向于要求固定上限和下限定价?
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
谢谢，Jim。SCA框架相似，但不同之处在于谈判反映当前市场状况和未来定价前景。因此，定价方向一直向上。这些因素已反映在与客户的讨论中，而此前协议是在CQ2市场条件下设定。我们曾说明，约四分之三的SCA收入有明确价格框架，约四分之一开放定期谈判或随市场动态定价。
整体框架相似，多数定价框架设有上下限区间，但新协议在谈判时已考虑当前市场状况和我们看到的未来紧张。
James Schneider
高盛集团研究部
明白。这是否意味着所有价格上下限都重置到当前更高市场状况?还是定价条件性质也不同?另外，你们是否披露签署初始超大规模客户?这些是否包含在TAM中?
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
存在多种框架。我所说的是，多数有定价的框架设有上下限，但我们继续使用多种框架。自上次电话会议以来，新签10个SCA涵盖从小型到大型客户。我们未具体拆分，仅说明目前所有业务部门均有SCA，且客户规模从小型到大型不等，包括最新签署的10个。总计26个。
Christopher Caso
Wolfe Research, LLC
第一个问题，请谈谈资本支出和晶圆厂建设资本支出与工具采购的比较。我从评论中听到，建设资本支出增长更快，不确定理解是否正确。洁净室空间限制正制约今年引入工具的能力。但建设资本支出增加值得关注，因为它至少要到2029年、可能更久后才会带来位元生产。
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
Chris，我先回答，Mark补充。确实如此。行业主要约束是洁净室空间，因为AI需求的强劲增长出现时间相对较近，而建设洁净室需要较长时间。因此我们正聚焦该领域。你正确指出，2027财年建设资本支出较此前计划增加，大部分用于2028年底及以后上线的洁净室。这既说明建设周期之长，也说明为何现在必须启动建设投资，同时显示我们对长期需求的信心，既来自近期市场趋势，也来自SCA结构以及客户将承诺延长至2030年以后的讨论。这些SCA对我们具有变革意义，使供应与未来需求匹配，并支持有信心地投资。
Mark Murphy
执行副总裁兼首席财务官
Chris，补充一点。大部分增加确为建设资本支出，主要用于加速2028年及以后洁净室空间可用性。我们预计该趋势将持续至2027年以后。你提到的重要一点是，该支出不会立即转化为位元。这些晶圆厂将在需要时配备设备并生产晶圆，依据我们对市场的判断和SCA。这些SCA有助于我们把握市场脉搏，并确保资本支出回报。
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
另一点，Chris，我们将根据需求趋势配备洁净室并建设产能。我们一直与设备供应商执行长期供应协议，以确保需要时获得设备。但当然，仍将根据当时需求趋势，在洁净室中配备设备并建设产能。
Christopher Caso
Wolfe Research, LLC
明白。后续问题关于CPU强度对整体位元需求和供需平衡的影响。这可能是年初以来最大增量意外。CPU没有HBM那样的trade ratio效应。这对供需失衡贡献多大?
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
代理式工作负载在CPU上执行，这一认识是重要驱动因素。LP、DDR内存和SSD均有很高附着率以支持这些代理式工作流。这些工作流已开始实施，并在企业和消费端推动实际价值。这也是服务器单位强劲增长的原因之一，如我们所述，增速在十几个百分点高位。这也显示，逻辑芯片增长是另一向量，以利用AI趋势。因此，这推高逻辑芯片需求，并进入AI计算总需求，同时对DRAM形成更多约束，表明DRAM是主要约束，而非逻辑或数据中心电力。
我提到，企业代理式工作负载有多种软件实现。Meta的Muse发布后仅数周进展迅速，显示代理式工作负载正多快为消费者实现实际价值。
Joseph Moore
摩根士丹利研究部
明年供应增长放缓，在资本支出背景下有些意外。你们提到HBM的抑制作用，但差值不应变化那么大。请解释，在资本支出高企情况下，供应为何放缓?有哪些因素?
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
Joe，你问的是DRAM和NAND两者吗?
Joseph Moore
摩根士丹利研究部
是的，但主要是DRAM。
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
我们已说明，HBM增长快于传统DRAM。随着行业从HBM3转向HBM4，并在2027年晚些时候转向HBM4E，trade ratio不断上升。这两者同时发生，会抑制位元增长能力。同时，我们和其他行业参与者的位元增长来自新技术节点，转型时机影响位元增长，且新节点回报递减。
这些都是限制供应的因素。但主要因素仍是所有厂商的洁净室空间。尽管我们爱达荷州工厂将在2027日历年中期首次产出晶圆，行业内其他厂商也可能开设洁净室，但此后有意义的供应增长仍需数个季度。这些就是我们认为明年DRAM行业供应出货减少的原因。
Joseph Moore
摩根士丹利研究部
有道理。如果你们对行业供应保守，而明年供应更多，似乎存在大量被压抑需求。一些AI机架因必要而降低规格，若供应增加，是否会重新提高规格?我是否过于乐观?
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
这正是重点。Sanjay在主要电话会议中提到，我们确实认为客户正选择在可用内存供应下最大化计算芯片出货量。这创造了更多内存的潜在需求，以附加到这些计算芯片，从而提升系统性能和终端客户体验。因此，若更多内存可用，很容易被用于AI工作负载中更高内容增长，无论是附加于加速器还是CPU。
Mehdi Hosseini
Susquehanna Financial Group, LLLP，研究部
几个后续问题。你们强调2026年NAND位元出货低于行业平均。2027至2028年应如何预期?NAND位元需求或出货能否以行业平均25%增长?
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
Mehdi，坦率说，我们未对那么远的DRAM或NAND作出评论。我们确实预计NAND整体条件紧张，即使行业预计2027和2028日历年以20%中段增长。我们的供应增长受一些因素影响目前利用新加坡部分洁净室空间用于未来NAND增长的先进研发线;同时准备明年新加坡HBM工厂爬坡，部分现有洁净室用于试点HBM运营。这导致今年供应增长低于行业。但我们对技术有信心，预计继续向G9爬坡将提供高ROI、成本效益高的供应。此外，今年早些时候破土动工的新洁净室将在2028日历年下半年上线。
Mark Murphy
执行副总裁兼首席财务官
Mehdi，时间关系我插一句。请先问第二个问题，之后我评论。
Mehdi Hosseini
Susquehanna Financial Group, LLLP，研究部
抱歉，Mark。很快问，我想了解团队看法。观察DRAM，尤其在晶圆层面，设备相同。我认为晶圆层面DRAM具有可替代性，后端存在差异化。这种晶圆层面可替代性此前未见，因为过去周期由单一产品驱动，客户高度集中。我的假设是否正确，即晶圆层面DRAM可替代性使你们能更好管理DRAM成本?
Scott DeBoer
总裁兼首席技术与产品官
先谈一点。我认为有部分正确，但我可能持相反看法。若看前端可变性，或我们在DRAM工艺上为优化HBM、高性能SOCAMM、LPDRAM和DDR6所做的不同，当前差异可能比DRAM历史上任何时候都大。同一节点上需构建不同产品，且内置更多差异化。Manish，你补充?
Manish Bhatia
总裁兼首席运营官
短期内，我们在同一制造线上运行不同产品，确实有助于调整组合，无需在不同晶圆厂运行，可在同一线上运行。但如Scott所述，每种产品有自身优化向量。HBM优化带宽与TSV，需要独特工艺步骤;DDR和LP也各有独特工艺步骤。可替代性最重要的部分是，我们能在需求所在处灵活调整，甚至调整组合以满足客户要求。这都在同一晶圆厂内，是最重要部分。但我不认为它必然有助于成本。
Mark Murphy
执行副总裁兼首席财务官
Mehdi，我想电话会议接近尾声。我很高兴问题集中在技术和业务长期坚实基础与表现上。我原以为会更早出现一些例行问题，现补充第一季度指引计入DRAM和NAND位元环比单位数增长、成本两位数增长，请建模时注意。另外，剔除激励薪酬影响，研发同比增长将超过上季度所说的10亿美元，2027年将超过10亿美元，因我们增加了研发活动。再次确保这些信息用于建模。
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