美股投资网获悉，摩根大通最新研报指出，美光科技(MU)在10月21日举办的投资者技术网络研讨会上，详细展示了其在DRAM、HBM和NAND三大核心产品线上的最新技术创新与长期规划。该行以Harlan Sur为首的分析师团队认为，美光的技术路线图清晰且具备前瞻性，有望在AI驱动的存储需求爆发中持续受益，因此维持其“增持”评级。
坚守6F² DRAM架构，并行推进3D DRAM
摩根大通在报告中指出，在DRAM架构演进方面，美光明确回应了业界关于6F²与4F²的技术路线之争。美光表示，下一代DRAM节点将继续采用6F²架构，而非4F²。公司对其通过严格的节点微缩、工艺创新及产品级优化来保持功耗与性能的领先地位充满信心。
美光透露，其针对4F² DRAM的研究已长达约20年，但最终决定不予采用，主要因为该架构工艺复杂性增加、成本更高，且公司认为其微缩带来的收益有限。
摩根大通在研报中详细指出了4F²架构在制造环节面临的三大挑战首先，该架构需要更密集的沉积与刻蚀工艺，显著增加了良率出问题的概率;其次，4F²具有更严苛的工艺公差要求(如套刻、对准等)，给可制造性和良率带来更大压力;最后，该架构本身容易引发“浮体效应”(Floating Body Effect)，导致电荷被困在晶体管沟道内，从而引发性能下降和漏电问题。
此外，美光还反驳了4F²在密度上优于6F²的观点，强调DRAM的比特密度最终是由电容节距(Capacitor Pitch)决定，而非底层的互连节距(Interconnect Pitch)。
根据目前公布的路线图，美光在未来几代DRAM节点中将持续利用基于6F²的平面架构(预计将延续至2030年)，同时并行开发3D DRAM技术。
HBM路线图全面拓宽，定制化与垂直堆叠成焦点
在备受关注的HBM领域，美光表示HBM4目前已进入大规模量产阶段，爬坡进展顺利，而下一代HBM4E也已在路线图上，公司今年正向关键客户送样。
展望未来，美光预计标准HBM与定制HBM将长期共存。定制HBM通过将内存IP与逻辑IP集成到基础裸片(Base Die)中，能够实现更深入的客户协同设计。美光团队指出，未来标准JEDEC HBM和定制HBM产品都将采用代工节点，其中HBM4E由于对速度、功耗和功能的要求更高，将需要更先进的CMOS工艺。
除了标准与定制HBM，美光还重点强调了垂直HBM(Vertical HBM)和垂直边缘推理内存(vEIM)两种重要的长期内存架构。垂直HBM通过将内存直接放置在处理器上方，缩短存储与计算之间的路径，从而提供大幅提升的带宽;而vEIM采用类似方法，但专门针对低功耗的边缘AI推理用例进行了优化(即垂直HBM主打高带宽，vEIM主打低功耗)。
美光强调，混合键合、更高堆叠层数、先进热管理以及客户协同设计在HBM路线图中的重要性日益凸显。不过，随着HBM、垂直HBM和vEIM的推进，相比标准DRAM产出，这些产品需要消耗更多的晶圆，这也意味着晶圆‑比特产出换算比将持续承压。
NAND跨代升级至G11，AI级产品拓展市场空间
在NAND领域，美光在经历了从G7到G9连续三个领先节点后，将直接跨越至针对AI工作负载优化的G11节点。相较于G9，G11的目标是实现约2倍的比特密度、最高1.5倍的I/O速度提升，并将每比特数据传输能耗降低超过25%，堆叠层数将超过400层。
G11节点也标志着美光在NAND制造上正式引入晶圆对晶圆(Wafer-on-Wafer)键合技术。公司预计G11将于2027年下半年放量，并计划在明年公布更多细节。此外，美光还计划通过新材料和更高密度的单元架构，在G11之后继续保持微缩。
在产品层面，美光正在构建两款AI级NAND产品一是基于高速SLC的设计(提供2500万至1亿IOPS)，专为GPU在向量搜索和AI上下文检索等任务中提取海量小数据块而设计;二是通过TSV将NAND裸片堆叠在逻辑芯片上，从而将模型权重、长上下文和KV缓存放置在更靠近加速器的位置(并非直接放在GPU旁，因为美光认为这样并无收益)。鉴于成本较高，美光正与客户共同开发第二款产品，预计两款产品的市场占比将因终端市场而异。
在数据中心SSD方面，美光已是首家量产PCIe Gen6 SSD并出货245TB硬盘的厂商，其先进节点带来的更低单比特成本有望支撑高容量硬盘的进一步增长。摩根大通认为，美光的NAND路线图使其能够充分受益于AI驱动的存储需求增长，并有望保持或扩大其全球前三大企业级SSD(eSSD)市场份额。
深化客户协同与长周期研发，AI工具大幅提升效率
美光详细阐述了其客户合作模式的重大转变。相比三到四年前，目前的合作从概念阶段即已开始，贯穿联合设计、认证直至量产，其中包括与多家云服务提供商(CSP)的定制项目。例如，美光正为Meta(META)定制用于数据中心部署的LPDDR6;而Weka则从Micron Ventures的投资组合公司演变为商业合作伙伴。
在研发方面，美光的长期投资已跨越三个时间维度一是承诺在3至10年内向Micron Ventures投入5.5亿美元;二是在5至10年内与Albany NanoTech/NY CREATES合作开发面向DRAM的高数值孔径(High-NA)EUV及光刻路线图;三是今年夏季度宣布的、着眼10年以上周期的100亿美元美光研究实验室。
此外，美光正将AI技术全面部署于从早期研究到晶圆厂的全开发周期。数据显示，在其最新的数据中心SSD控制器上，AI辅助的芯片设计与验证将流片时间较上一代缩短了一半;AI生成的固件、根本原因分析和智能测试选择，将数据中心SSD实现客户就绪硅片的路径缩短了60%。
美光的目标是将从创新到大规模量产(HVM)的路径提速2倍，并正在深化与光刻、封装/混合键合以及薄膜处理等领域的供应商合作。摩根大通认为，这些努力对于美光并行推进更多项目的能力至关重要。
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