美股投资网获悉，据知情人士周一透露，三星电子计划于下个月开始生产其下一代高带宽内存(HBM)芯片，即 HBM4，并将其供应给英伟达(NVDA)。

在去年早些时候因供应延迟打击了收益和股价后，三星一直试图追赶同城对手 SK 海力士。后者是英伟达人工智能加速器所需先进内存芯片的主要供应商。

芯片行业消息人士表示，三星已通过了英伟达和 AMD 的 HBM4 资格测试，并将于下个月开始向英伟达出货。

三星电子 DS 部门已决定从 2 月起启动英伟达用 12 层堆叠 HBM4 的晶圆投片。该产品在去年底进入英伟达最终认证阶段，使三星电子在全球三大存储芯片厂商的进度领先于海力士和美光。

一位了解三星电子内部情况的消息人士表示，如果 12 层堆叠 HBM4 在无需修改设计的情况下顺利通过认证，那么从 2 月投片开始，三星还需要大约 3 个月完成工艺优化。按照这一节奏，具备商业供货条件的量产产品或将在 5 月中旬形成规模，并在随后逐步扩大出货。

SK 海力士在去年 10 月曾表示，已完成与主要客户关于明年 HBM 供应的谈判。

SK 海力士的一位高管本月初表示，该公司计划下个月开始在韩国清州的新工厂 M15X 部署硅晶圆以生产 HBM 芯片，但未详细说明 HBM4 是否属于初期生产的一部分。

三星和 SK 海力士都定于周四公布第四季度财报，届时预计将分享 HBM4 订单的详细信息。

英伟达首席执行官黄仁勋在本月初表示，随着这家美国公司准备在今年晚些时候推出与其配套的 HBM4 芯片，该公司的下一代芯片——Vera Rubin 平台已进入“全面生产”阶段。

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